提问：为什么光刻很难制作特征尺寸小于30nm的图案?

网友回答：

对光刻机说，光学成像分辨率受到物镜孔径和光源波长的限制，所以要提高芯片的工艺制程，传统的思路是增大物镜孔径和缩短光源的工作波长。这两个方法都受到现实状况的约束，比如物镜的孔径不可能无限增加，因为光刻机的机械尺寸不可能无限扩大。而光源的波长已经从紫外（波长小于 380 纳米，大于 200 纳米）走到了深紫外（波长小于 200 纳米），再朝外走就是 X 射线波段了。阿斯麦光刻机的紫外光的光源一般是激光器，比如 2013 年阿斯麦的 EUV 光刻机研发成功，当时使用的光源是波长为 193 纳米的准分子 ArF 激光，使用这种激光光源的光刻机能达到 22 纳米的工艺制程。当然了，如果换成波长更短的 13．5 纳米深紫外线光，那么就可以做到 7 纳米的芯片制程——这样一台光刻机售价至少 1 亿美元。